举个例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉积工具级金刚石薄膜，以8μm/h的速率沉积热沉级金刚石薄膜，以3μm/h 的速率沉积光学级金刚石薄膜。
而用10kW微波功率的时候，他的沉积速率可以达到25μm/h。
也就是说，通过增大微波功率，可以提高金刚石薄膜的沉积速率。
除此之外，金刚石薄膜的沉积速率还和气体压力有关。
在高微波功率，高的甲烷与氢气体积流量比，160Torr气体压力下，可以制备出150μm/h的多晶金刚石薄膜。
如果在同等条件下，将压力提高至310Torr下，可以制备出165μm/h的单晶金刚石薄膜。
“气体压力……”
“微博功率……”
陈舟在草稿纸上写下这两个词汇。
拿笔点了两下，随手便划了两个圈。
这是重点。
放下笔，陈舟滑动鼠标，继续看文献的内容。
MPCVD法之所以会成为最广泛的方法，是因为这种方法比DAPCVD法制备的金刚石薄膜质量更好。
很好的解决了膜的致密度不高的问题同时，还可以产生大体积的金刚石薄膜。
此外，这种方法还能在曲面或者复杂表面上进行金刚石薄膜的沉积。
而且MPCVD法无内部电极，可以避免电极放电污染和电极腐蚀。
可以说是满足了制备高质量金刚石薄膜的条件。
但是，就像四十三所实验室的装置一样，MPCVD法的沉积速率是硬伤。
看完了这篇详细介绍MPCVD法的文献后，陈舟不禁想到。
“如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的制备质量，那这事不就成了吗？”
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