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第839章 高总工的技术路线被改了

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指的是在高振东的技术路线上的改进,他说这个的时候,已经没有当初提单晶多晶一起齐头并进想法时的忐忑,高总工不是那样的人,在他指导下做事儿,舒坦。

果然,听见他的话,高振东一脸的喜色,非常高兴:“太好了!说说看说说看。”

“您说的在多晶硅表面做织构体的时候,可以用照相平板印刷、激光雕刻的技术,我们发现有一些可以改进的地方。”

多晶硅是多晶,表面有多个晶向,没法用单晶硅常用的NaOH溶液制绒,要复杂得多,所以在制绒这一块上,多晶硅是他们研究的重点,单晶硅反而直接照抄高振东给的技术就完事儿了。

多晶硅他们也抄,只是在抄的过程中,有了新的发现。

唐少辉拿出一份资料,非常高兴的向高振东汇报。

“您看看,这是我们在研究过程中的统计,照相平板印刷的成本很高,积累起来不得了。我们也想解决这个问题,在反复研究试验,在试验过程中,我们无意中把用于硅片蚀刻的氢氟酸、含银离子的某些种类胶片定影液废液掺到一块了,还泼到了多晶硅片上,等到发现,已经过去很长一段时间。”

至于激光雕刻,那更不是唐少辉能考虑的,直接被他跳过去了。

他提到的这几样东西,都是他们做这些试验常用的。说到试验小组失误的时候,唐少辉非但没有沮丧,甚至还眼里发光,高振东就知道,估计“一次失误趟出一条新路”这种科研中喜闻乐见的经典桥段发生了。

不出他所料,唐少辉接下来的话证实了他的猜想:“本着你说的什么路子都要试一试看一看的想法,反正都泼上去了,我们在显微镜下观察了这些硅片的表面,发现一个非常让人惊喜的现象,在这硅片被蚀刻出了一个一个的小孔,非常小的那种,虽然分布和总体质量、均匀性什么的达不到要求,但是尺度大概和工艺需要的尺度量级范围差不多。”

嗯?氢氟酸本来就是蚀刻硅片的,理论上除了多晶晶界不均匀造成的不均匀蚀刻,其他地方应该反应速度是基本一致的,为什么含银离子的硅片会出现一个个尺度极小的小孔?

高振东非常敏锐的意识到了唐少辉所说的现象,正好,最近他在研究最多的,就是有机物的合成,虽然是有机化学,唐少辉说的这事儿是无机化学,但是其中有些东西,却是相通的。

高振东那个被强化过的脑子那多好使啊,马上就结合自己最近的工作,都会抢答了:“是一个个尺度极小的小孔?催化反应


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