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第153章 模型改进

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  不仅如此,高ZT值热电材料的出现更会改变芯片架构,光-电-热一体化芯片成为可能,热电材料将废热直接转化为电能,供芯片内部传感器或边缘AI单元使用,实现能量闭环。

自冷却芯片普及,淘汰传统散热器,设备体积缩小至现有1/5。

从长期来看,这将直接导致量子芯片的发展,它缓解了量子比特退相干问题,超导量子芯片可在更高温度下运行,降低制冷成本90%,类脑芯片功耗降低至μW级,支持植入式医疗设备长期运行……

未来前景可谓是一片光明!

当然,展望未来时不免也要低头看看脚下的路。

现实是残酷的,根据肖教授提供的资料,目前他们能够做到的ZT值只有0.92,不要说划时代的突破,甚至都没有达到商用1.5的标准。

“好!”

杨驰欣慰的点头,他喜欢这样高效的交流,也很满意陈辉的态度,就算实力差一点,只要愿意努力,他都是欢迎的。

“那你应该知道,ZT值的计算公式是(SσT)/κ,高ZT值材料的制备主要有三种途径,要么通过增强电输运性能,通过能带工程,如能带收敛、多能谷效应提高S和σ,或者是解耦电声输运,通过微观结构调控实现电子与声子传输路径的分离,但是前面两种方法实现起来都太困难,即便能够得到高ZT值材料,工业化的成本也太高,难以得到普及。”

“目前我们使用的方式主要还是抑制热传导,通过纳米结构、缺陷工程或复合材料设计降低晶格热导率。”

杨驰边走边介绍,“这次我们想要你做的主要是通过我们的实验数据,建立多尺度模型量化纳米缺陷、位错对热导率的贡献,如果能够找到一种算法或者多目标优化的方法,来平衡S、σ、κ的竞争关系,那就更好了。”

说完他们已经来到了一处办公桌前,杨驰打开电脑,“这是目前我们实验采集到的27个样本的数据,你可以在这里研究,也可以拿U盘拷回去慢慢研究,但这些数据都是内部机密,还请不要外泄。”

“明白。”

陈辉点头,心神已经沉浸到了眼前的数据中。

“哎,又失败了。”

就在陈辉研究实验数据时,旁边传来一声叹息,“晶界散射模型明明预测热导率能降低30%……”

肖蒙摘下护目镜,看向旁边仪器采集数据计算出来的ZT值,0.91,甚至比他们之前实验的效果还要更差,这不


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